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Quarzrohrofen für präzise Hochtemperaturprozesse

Quarzrohrofen Hochtemperatur

Die nachhaltige Lösung für Hochtemperaturprozesse in der Halbleiter- und Mikroelektronikindustrie. Die Quarzglas-Prozesskammer gewährleistet eine außergewöhnliche chemische Reinheit und hohe Temperaturbeständigkeit, während die hochpräzise Temperatursteuerung selbst anspruchsvollste Prozesse mit maximaler Reproduzierbarkeit ermöglicht.

Durch modernste Steuerungstechnik bietet unser Ofen höchste Stabilität, Effizienz und Flexibilität für eine Vielzahl industrieller Anwendungen – von der Forschung und Entwicklung bis hin zur Serienfertigung. Die intelligente Steuerung sorgt für eine zuverlässige Prozessüberwachung, intuitive Bedienung und optimale Anpassung an individuelle Anforderungen.

Anwendungsbereiche

  • Annealing und Tempern
  • Thermische Oxidation: trocken und nass
  • Diffusionsprozesse
  • Polyimid‑Imidisierung / Thermal Cure
  • Dünnschicht‑ und Substratbearbeitung
  • Keramik‑ und Glasmaterial‑Studien
  • Glasfritten‑Prozesse
  • Wärmebehandlung anorganischer Substrate
  • Vakuum‑ und kontrollierte Atmosphärenprozesse
  • Dickschicht‑Pasten
Anwendungsbereiche Anwendungsbereiche

Technologische Highlights

Technologische Highlights
  • Höchste Präzision: Temperaturbereiche bis 1100°C, homogene Temperaturprofile
  • Moderne Steuerung: Bosch Rexroth SPS, Industrie-4.0‑fähig, Langzeitverfügbarkeit
  • Flexible Prozessführung: Mehrzonen-Heizung, definierte Gasatmosphären, Rampenprofile
  • Nachhaltige Modernisierung: Retrofit bestehender Anlagen mit neuer Elektronik & Sensorik

Technische Daten

  • Abmessungen (B × T × H): 1000 × 1000 × 1650 mm
  • Gewicht: ca. 250 kg
  • Maximale Prozesstemperatur: bis 1100 °C
  • Prozessraum: Ø 230 mm × 350 mm (L)
  • Geeignet für: Wafer bis 200 mm, keramische Substrate und andere temperaturstabile Materialien
  • Beladungsbeispiel: 100 × 150 mm Silizium‑Wafer
  • Temperaturperformance: Regelgenauigkeit ±0,5 K
  • Optionale Temperaturprofilierung: bis ±2,5 K über volle Wafer‑Beladung
  • Prozessatmosphäre & Druckbereich:
  • • Unterstützte Gase: Inertgase, Sauerstoff, Wasserdampf, Formiergas (≤ 5 % H₂)
    • Druckbereich: Atmosphärendruck bis Hochvakuum 5 × 10⁻⁶ mbar
    • In‑situ‑Überwachung des Rest‑Sauerstoffgehalts während des gesamten Prozesses
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